高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201510102429.6
IPC分类号：H01B13/00;H01B5/14;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58
申请日期：
2015-03-09
申请人：
中国科学院化学研究所

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著录项信息

专利名称	高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用
申请号	CN201510102429.6	申请日期	2015-03-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-29	公开/公告号	CN104810114A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;B;5;/;1;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	中国科学院化学研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院化学研究所	当前权利人	中国科学院化学研究所
发明人	范琳;温钰;杨士勇
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	关畅

摘要

本发明公开了一种高透光率柔性聚酰亚胺基底ITO导电薄膜及其制备方法与应用。该导电薄膜利用射频磁控溅射技术，以兼具高透明和高耐热特性的柔性PI薄膜为基底，采用高温两步法沉积ITO导电层制备得到，该导电薄膜兼具低电阻率和高透明性的特点，电阻率低于6.4×10‑4Ω·cm，可见光区平均透过率高于80％，且黄度指数小于9，在柔性太阳能电池、柔性显示器、电子书、电子标签、光电传感器等光电器件的制造中具有重要的应用价值。

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