一种降低有机硅DMC中杂质含量的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010649877.9
IPC分类号：C07F7/21
申请日期：
2020-07-08
申请人：
镇江江南化工有限公司

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著录项信息

专利名称	一种降低有机硅DMC中杂质含量的方法
申请号	CN202010649877.9	申请日期	2020-07-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-08	公开/公告号	CN111635429A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07F7/21 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07F 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物（含金属的卟啉入C07D 487/22；高分子化合物入C08） C07F7/00 含周期表第4或14族元素的化合物 C07F7/02 硅化合物 C07F7/21 具有至少1个含硅而不含碳的环的环状化合物〔2〕	IPC分类号	C;0;7;F;7;/;2;1查看分类表>
申请人	镇江江南化工有限公司	申请人地址	江苏省镇江市新区国际化学工业园内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	镇江江南化工有限公司	当前权利人	镇江江南化工有限公司
发明人	孟庆曦;谈钱戬;王勇;李显同;毛鑫;刘亚
代理机构	镇江基德专利代理事务所（普通合伙）	代理人	邓月芳

摘要

本发明提供一种降低有机硅DMC中杂质含量的方法，以有机硅中间体裂解脱低后物料为原料，以胍类有机碱为催化剂，采用固定床反应器进行保温催化反应；将裂解脱低后物料从固定床反应器底部的进料口进料，在150‑170℃条件下进行催化反应；进料量通过计量泵控制，使物料在固定床反应器内停留3‑5h，保持物料进出平衡状态；有机硅中间体裂解物在经脱低塔精馏分离时存在环状硅氧烷上脱掉端羟基短链硅氧烷杂质的现象，研究表明，这种短链硅氧烷杂质会在160℃条件下重新结合到环体上，本发明采用胍类化合物，可以大幅度促进这种羟基封端的短链硅氧烷杂质与DMC环体之间反应的发生，将脱高塔进料的X4有害杂质含量降低至5ppm以下，保证后续的产品质量。

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