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敏紫外硅光敏三极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN86204468
IPC分类号：--
申请日期：
1986-07-02
申请人：
武汉大学

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	敏紫外硅光敏三极管
申请号	CN86204468	申请日期	1986-07-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌珞珈山变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	陈伟秀
代理机构	武汉大学专利事务所	代理人	龚茂铭

摘要

本实用新型公开了一种敏紫外硅光敏三极管，它适用于检测从紫外(190nm)到近红外(1100nm)的入射辐射。它采用栅状或网状基区结构，主要以集电区作为直接受光面，大大地提高了集电结对紫外光谱区光生载流子的收集效率，实现了从紫外到近红外的光电探测。

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