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具有调制掺杂的半导体装置结构及相关的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201080064033.2
IPC分类号：H01L21/00
申请日期：
2010-12-15
申请人：
克里公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有调制掺杂的半导体装置结构及相关的方法
申请号	CN201080064033.2	申请日期	2010-12-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102754184A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	克里公司	申请人地址	美国北卡罗来纳州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	克里公司	当前权利人	克里公司
发明人	D.C.德里斯科尔;A.查文;A.W.萨克斯勒
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杜娟娟;王忠忠

摘要

一种半导体装置，其可以包括具有调制掺杂物浓度的掺杂半导体区域。该掺杂半导体区域可以是硅掺杂III族氮化物半导体区域，其中硅的掺杂物浓度在III族氮化物半导体区域内被调制。此外，半导体有源区域可以被构造成响应于通过其中的电信号而产生光。还讨论了相关的方法、装置和结构。

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