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一种薄层MXene/六方晶相二硫化钼复合材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110450804.1
  • IPC分类号:C01G39/06;C01B32/921;G01N27/12;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y15/00
  • 申请日期:
    2021-04-25
  • 申请人:
    黑龙江大学
著录项信息
专利名称一种薄层MXene/六方晶相二硫化钼复合材料及其制备方法和应用
申请号CN202110450804.1申请日期2021-04-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-27公开/公告号CN113173601A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G39/06IPC分类号C;0;1;G;3;9;/;0;6;;;C;0;1;B;3;2;/;9;2;1;;;G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人黑龙江大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人黑龙江大学当前权利人黑龙江大学
发明人史克英;吕贺;刘茁
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人李红媛
摘要
一种薄层MXene/六方晶相二硫化钼复合材料及其制备方法和应用,它涉及一种MXene复合材料及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有MoS2或MoS2的复合材料作为敏感材料制备气敏元件用于检测NO2的灵敏度较低,检测极限高,恢复性差和需要借助其他辅助手段进行测试,成本高,检测时间长的问题。一种薄层MXene/六方晶相二硫化钼复合材料由二维过渡金属碳化物、含钼化合物、含硫化合物、弱酸和表面活性剂为原料制备而成。方法:一、制备薄层MXene;二、复合;三、后处理。薄层MXene/六方晶相二硫化钼复合材料作为敏感材料制备气敏元件,所述的气敏元件在室温下用于检测空气中低浓度的NO2。

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