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一种凸形碳化硅JBS器件及其制备方法、芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211148843.7
  • IPC分类号:H01L21/329;H01L29/872
  • 申请日期:
    2022-09-21
  • 申请人:
    深圳芯能半导体技术有限公司
著录项信息
专利名称一种凸形碳化硅JBS器件及其制备方法、芯片
申请号CN202211148843.7申请日期2022-09-21
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-10-25公开/公告号CN115241062A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人深圳芯能半导体技术有限公司申请人地址
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳芯能半导体技术有限公司当前权利人深圳芯能半导体技术有限公司
发明人张益鸣;刘杰
代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司代理人阳方玉
摘要
本申请属于功率器件技术领域,提供了一种凸形碳化硅JBS器件及其制备方法、芯片,在N型外延层的正面形成多个侧壁设有第一氮化硅层的第二凹槽,然后在多晶硅掩膜层以及第一氮化硅层的掩蔽下,对N型外延层进行P型掺杂离子注入,以在N型外延层的正面形成多个位于第二凹槽的底部的第一P型掺杂区和多个位于相邻的第二凹槽之间的第二P型掺杂区,然后去除第一氮化硅层和多晶硅掩膜层形成第三凹槽,在第三凹槽的基础上形成欧姆金属层和金属保护层,然后在去除第三凹槽侧壁的第二氮化硅层的基础上形成肖特基合金层,使得沟槽侧壁和底部形成肖特基结,可以在小元胞尺寸下形成高肖特基占比的器件,实现低VF、低漏电流的碳化硅JBS器件。

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