一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610071243.3
IPC分类号：--
申请日期：
2016-02-01
申请人：
山东大学

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著录项信息

专利名称	一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜材料的方法
申请号	CN201610071243.3	申请日期	2016-02-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-04	公开/公告号	CN105543796A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	山东大学	申请人地址	山东省济南市历下区经十路17923号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东大学	当前权利人	山东大学
发明人	司鹏超;孙挥
代理机构	济南圣达知识产权代理有限公司	代理人	曹丽

摘要

本发明涉及一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜的方法，所述方法使用商业铜箔为基体材料，以高纯铜靶材铝靶材为溅射材料，磁控溅射设备为制备工具，通过辉光放电原理，溅射铜铝薄膜，在退火合金化后，脱合金腐蚀去掉活泼性组元铝得到纳米多孔铜薄膜。本发明所述方法为二步反应法，其克服了现有技术中利用合金配料熔炼、球磨、甩带所存在的步骤复杂、耗时长的问题，简化了制备工艺步骤；不仅仅是得到纳米多孔铜的纳米多孔结构，而薄膜大小可控，优于传统方法得到的纳米多孔铜粉末样品，进一步提高了纳米多孔铜的应用范围，并且具有商业化的前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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