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竖直纳米线半导体装置和其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980021545.1
IPC分类号：H01L29/06;H01L21/02
申请日期：
2019-03-05
申请人：
洪瑛

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	竖直纳米线半导体装置和其制造方法
申请号	CN201980021545.1	申请日期	2019-03-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-06	公开/公告号	CN111902944A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	洪瑛	申请人地址	辽宁省沈阳市皇姑区黄浦江街21号1-12-3 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	洪瑛	当前权利人	洪瑛
发明人	洪瑛
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种用于纳米线半导体装置的制造方法。制造方法包括以下步骤在衬底上形成晶种层；在晶种层上形成多层，第一导电层、半导体硅层以及第二导电层以所述次序沉积在多层中；使多层图案化以在衬底上形成竖直纳米线；通过热处理使纳米线结晶；形成覆盖纳米线的绝缘层；形成围绕由纳米线的半导体硅层界定的沟道区的栅极；以及形成电连接到栅极、第一导电层以及第二导电层的金属接垫。

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