一种静汞电极密封结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN02268447.6
IPC分类号：--
申请日期：
2002-07-22
申请人：
许一楠

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种静汞电极密封结构
申请号	CN02268447.6	申请日期	2002-07-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	许一楠	申请人地址	山东省济宁市文大街电讯七厂宿舍2号楼东单元3楼西户变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	许一楠	当前权利人	许一楠
发明人	许一楠;许建民
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种静汞电极密封结构，涉及有贮汞池下端面、中空针形棒、下端面刻槽、橡胶垫、毛细管、毛细管座、毛细管座上端面和上端面刻槽组成，贮汞池设置在上面，作为电极的毛细管设置在贮汞池的下面。在电极贮汞池下端面的中心位置，设置中空针形棒。在贮汞池下端面上，环绕中空针形棒设置有密封用下端面刻槽，在贮汞池下端面和毛细管座上端面之间设置有橡胶垫。毛细管座上端面上，设置有上端面刻槽。将贮汞池下端面、橡胶垫和毛细管座上端面三者吻合接触，密封好。相接触的两个平面上设置至少一个贮汞池下端面刻槽和至少一个上端面刻槽，在两个相接触的平面之间设置有覆盖上下刻槽的橡胶垫，实现可靠密封，保证了电化学分析工作正常进行。

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