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半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200910225288.1
IPC分类号：G11C7/06
申请日期：
2009-11-12
申请人：
精工电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置
申请号	CN200910225288.1	申请日期	2009-11-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-16	公开/公告号	CN101740098A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/06 读出放大器；相关的电路（放大器本身入H03F，H03K）〔1，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;6查看分类表>
申请人	精工电子有限公司	申请人地址	日本千叶县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾普凌科有限公司	当前权利人	艾普凌科有限公司
发明人	金子哲也
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	何欣亭;王丹昕

摘要

本发明提供一种能够减小电路规模的半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置。在从串行输出端子(20)串行读出数据的半导体存储装置的读出电路的多个读出放大器中，在确定地址前的规定时间存在4个确定地址时有可能被选择的字节选择器的场合，总共只需要4个读出放大器(A1～A4)，因此读出电路及半导体存储装置的电路规模变小。

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