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背照式全局像素单元结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610091832.8
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2016-02-19
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
著录项信息
专利名称背照式全局像素单元结构及其制备方法
申请号CN201610091832.8申请日期2016-02-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-13公开/公告号CN105762160A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司,成都微光集电科技有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司,成都微光集电科技有限公司
发明人顾学强;赵宇航;周伟
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;尹英
摘要
本发明提供了一种背照式全局像素单元结构及其制备方法,通过采用挡光隔离沟槽和附加电容上极板对入射光进行反射,避免入射光进入电容结构的电荷信号存储区,并且附加电容结构形成于电容结构对应的硅衬底的背面,可以与电容结构并联,不会占用像素单元中过多的面积,不影响像素单元中光电二极管的感光面积,不会降低器件的灵敏度,还可以增加全局像素单元的存储电容值,降低全局像素单元的读出噪声和提高全局像素单元的整体性能。

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