一种半导体器件及其制作方法和电子装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610998117.2
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/56
申请日期：
2016-11-14
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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专利名称	一种半导体器件及其制作方法和电子装置
申请号	CN201610998117.2	申请日期	2016-11-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-25	公开/公告号	CN108074823A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	施林波;陈福成
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	高伟;冯永贞

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。本发明切割过程中晶圆还是键合的状态，芯片表面被保护，且厚片切割品质容易保证；切割之后采用化学解键合(chemicalDe‑bond)，采用平台(bench)式作业，产量(throughput)高，安全可靠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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