基片支架

发明专利有效专利

申请号：
CN200310124982.7
IPC分类号：C30B25/12;C23C16/18
申请日期：
2003-12-30
申请人：
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基片支架
申请号	CN200310124982.7	申请日期	2003-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-12-29	公开/公告号	CN1558001
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/12 衬底夹持器或基座〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;2;;;C;2;3;C;1;6;/;1;8查看分类表>
申请人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司	申请人地址	联邦德国雷根斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司	当前权利人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人	S·巴德;M·比得;A·瓦尔特;V·赫尔勒
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	胡强;赵辛

摘要

为了在加热步骤中且特别是在外延方法中在基片(2)的整个表面上获得尽量均匀的温度，基片支架(1)形成有温度补偿结构，基片(2)位于该基片支架上。在沉积半导体材料过程中，该基片支架上的均匀温度分布减小了沉积的半导体材料的发射波长，该温度补偿结构在该基片支架(1)上形成适当的温度均匀性，它使基片(2)的温度分布变均匀。例如具有冷却功能的导槽(4)和一个支撑阶梯(5)整体形成在基片支架(1)的边缘区里，该阶梯在该基片(2)和基片支架(1)之间构成一个缝隙(8)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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