相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710007245.7
IPC分类号：H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C13/00;G11C16/02
申请日期：
2007-01-25
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法
申请号	CN200710007245.7	申请日期	2007-01-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-08	公开/公告号	CN101013738
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0;;;G;1;1;C;1;6;/;0;2查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	龙翔澜
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	韩宏

摘要

本发明提供一种可编程电阻存储器，例如相变化存储器，其包含具有细长侧壁的有效引脚的存储元件。侧壁有效引脚包含可编程电阻材料，例如相变化材料。在本发明的一个目的中，描述形成存储单元的方法，其包含形成堆叠，此堆叠包含第一电极、绝缘层以及第二电极。此第一电极具有主表面，而此主表面具有周缘；此绝缘层覆盖第一电极的主表面的一部分；此第二电极与第一电极垂直分离以及覆盖绝缘层。位于绝缘层及第二电极的侧壁，设置于第一电极的主表面，并与第一电极的主表面有横向偏移。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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