一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途

发明专利有效专利

申请号：
CN201610235084.6
IPC分类号：G11C19/28H01L29/786
申请日期：
2016-04-15
申请人：
东南大学

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专利名称	一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
申请号	CN201610235084.6	申请日期	2016-04-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-27	公开/公告号	CN107301879A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C19/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C19/00 所存储的信息是步进移动的数字存储器，例如，移位寄存器（计数链的入H03K 23/00） G11C19/28 应用半导体元件的（G11C 19/14，G11C 19/36优先）〔2，7〕	IPC分类号	G11C19/28;H01L29/786查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省无锡市菱湖大道*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	黄晓东;黄见秋
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	吴旭

摘要

本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。

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