一种水平式碳化硅高温氧化装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201210226334.1
IPC分类号：C30B33/02;C30B29/36
申请日期：
2012-07-02
申请人：
东莞市天域半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种水平式碳化硅高温氧化装置
申请号	CN201210226334.1	申请日期	2012-07-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102747425A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/02 热处理（C30B 33/04、C30B 33/06优先）〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	东莞市天域半导体科技有限公司	申请人地址	广东省东莞市松山湖北部工业北一路五号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞市天域半导体科技有限公司	当前权利人	东莞市天域半导体科技有限公司
发明人	孙国胜;董林;王雷;赵万顺;刘兴昉;闫果果;郑柳
代理机构	广州市南锋专利事务所有限公司	代理人	罗晓聪

摘要

本发明公开一种水平式碳化硅高温氧化装置，其包括：水平设置的双层石英管嵌套结构，其包括：一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管，该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔，该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配，令内、外层石英管之间相互隔绝；射频加热组件，其包括：保温件、加热件及加热驱动件，其中，加热件与内层石英管外壁形成间隙；密封结构中设有数个连通环形空腔的气孔；内层石英管两端分别安装有进气端部件及出气端部件，该进气端部件及出气端部件分别设有连通内层石英管内腔的第二进气口及第二出气口。本发明具有简易、灵活、多用、压力调节范围宽、易于控制、有较高氧化温度等诸多优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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