加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

不可逆电路元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201380024374.0
  • IPC分类号:H01P1/383;H01P1/36
  • 申请日期:
    2013-05-09
  • 申请人:
    株式会社村田制作所
著录项信息
专利名称不可逆电路元件
申请号CN201380024374.0申请日期2013-05-09
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-01-07公开/公告号CN104272524A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01P1/383IPC分类号H;0;1;P;1;/;3;8;3;;;H;0;1;P;1;/;3;6查看分类表>
申请人株式会社村田制作所申请人地址
日本京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社村田制作所当前权利人株式会社村田制作所
发明人中嶋礼滋;牧野敏弘
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人舒艳君;李洋
摘要
本发明提供一种能够兼得小型化和低损耗的集中常数型的不可逆电路元件。在该不可逆电路元件中,第1中心导体(21)、第2中心导体(22)以及第3中心导体(23)以相互绝缘状态交叉地配置在由永久磁铁施加直流磁场的铁氧体(20),将第1中心导体(21)的一端作为第1端口(P1),将第2中心导体(22)的一端作为第2端口(P2),将第3中心导体(23)的一端作为第3端口(P1)。第1端口(P1)与第1端子(41)连接,第2端口(P2)与第2端子(42)连接,第3端口(P3)与第3端子(43)连接。各中心导体(21、22、23)各自的另一端相互连接并且接地。分别针对各中心导体(21、22、23)并联连接有电容元件(C1、C2、C3)。而且,满足以下公式。这里,γ:旋磁比,μo:真空导磁率,Hin:内部磁场,Ms:饱和磁化强度,ω:角频率。γ(μ0Hin+Ms)≤ω。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供