半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110778391.X
IPC分类号：H01J37/32;H01L27/108;H01L21/8242
申请日期：
2021-07-09
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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专利名称	半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器
申请号	CN202110778391.X	申请日期	2021-07-09
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-10-19	公开/公告号	CN113517170A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	张春雷
代理机构	北京律智知识产权代理有限公司	代理人	王辉;阚梓瑄

摘要

本公开提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器。该半导体结构的制造方法包括：提供衬底和反应腔室，所述衬底置于反应腔室中；在所述衬底上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层；其中，在形成所述氮化硅层之后且在形成所述多晶硅层之前，使用解离后的氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面，以减少所述氮化硅层表面的氮氢键结。本公开提供的氮化硅层的制造方法，通过氮气解离后形成的氮离子对氮化硅层的表面进行处理，减少了氮氢键结，从而能够提升与多晶硅层的粘附性，避免了黏附在喷头和反应腔体内壁上的薄膜脱落在晶圆上形成的缺陷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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