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碳化硅半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480009968.9
  • IPC分类号:H01L29/12;H01L29/78
  • 申请日期:
    2014-02-04
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社
著录项信息
专利名称碳化硅半导体器件
申请号CN201480009968.9申请日期2014-02-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-11-18公开/公告号CN105074930A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/12IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社申请人地址
日本大阪府大阪市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社当前权利人住友电气工业株式会社
发明人和田圭司;斋藤雄;增田健良
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人韩峰;孙志湧
摘要
碳化硅半导体器件(1)具有碳化硅层(101)。碳化硅层(101)被提供有沟槽(TR)。在横截面图中,该沟槽(TR)具有作为第一侧壁表面(SW1)和底部(BT)之间的交点的第一角部(C1),和作为第二侧壁表面(SW2)和底部(BT)之间的交点的第二角部(C2)。第一层(81)具有第二导电类型区(A)。在横截面图中,第二导电类型区(A)被布置成,与经过第一角部(C1)和第二角部(C2)中的任意角部的,并与形成碳化硅层(101)的碳化硅晶体的<0001>方向平行的线(11)相交。通过SP除以ST计算出的比率为不低于20%且不高于130%,其中在平面图中ST表示第一层(81)和第二层(82)之间的交界面(B)中的沟槽的总面积,SP表示第二导电类型区的总面积。因此,能够提供能实现抑制击穿电压降低的碳化硅半导体器件(1)。

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