半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010343511.9
IPC分类号：H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/108;H01L27/11507;H01L27/22;H01L27/24;H01L21/8242
申请日期：
2020-04-27
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法
申请号	CN202010343511.9	申请日期	2020-04-27
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-12	公开/公告号	CN113644064A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/088 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;0;7;;;H;0;1;L;2;7;/;2;2;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	朱一明;平尔萱
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;董琳

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，一种存储器及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和位于所述牺牲层上的有源层；对所述有源层和所述牺牲层进行图形化，形成凹槽，所述凹槽将所述有源层和所述牺牲层分割为若干有源区；在所述凹槽内形成包围所述有源区的第一隔离层；对所述有源区内的有源层进行图形化，形成若干分立的有源图形，所述有源图形至少有一侧壁或端部与所述第一隔离层连接；沿相邻所述有源图形之间的开口去除所述牺牲层，形成位于所述有源图形底部与所述半导体衬底之间的间隙；在所述间隙内形成位线。上述方法能够减小晶体管的平面尺寸，提高存储器的存储密度。

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