一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410063659.1
IPC分类号：--
申请日期：
2014-02-25
申请人：
广东省工业技术研究院（广州有色金属研究院）

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著录项信息

专利名称	一种具有极化隧道结的GaN基LED外延片及其制备方法
申请号	CN201410063659.1	申请日期	2014-02-25
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-11	公开/公告号	CN103855263A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	广东省工业技术研究院（广州有色金属研究院）	申请人地址	广东省广州市天河区长兴路363号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东省工业技术研究院（广州有色金属研究院）	当前权利人	广东省工业技术研究院（广州有色金属研究院）
发明人	贺龙飞;陈志涛;刘宁炀;赵维;张志清;张康;王巧;张娜;范广涵
代理机构	广东世纪专利事务所	代理人	千知化

摘要

一种具有极化隧道结的氮化镓GaN基LED外延片及其制备方法。该GaN基LED外延片由衬底、低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层、高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层组成，其特征在于在高掺杂p型氮化镓层和高掺杂n型氮化镓层之间有一非掺杂的铟铝氮层。本发明是利用MOCVD外延设备依次生长上述各层。高掺杂p型氮化镓层、非掺杂的铟铝氮层和高掺杂n型氮化镓层共同组成一个极化隧道结，取代了外延片p型氮化镓层上面的电流扩展层。该极化隧道结具有比普通隧道结在电流驱动下更高的极化电场，能显著提高载流子的隧穿几率以及横向电导率，从而减少压降和增强发光二极管的横向电流扩展，获取高光效的发光二极管。

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