GaN器件及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110272079.3
IPC分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205
申请日期：
2021-03-12
申请人：
浙江大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	GaN器件及制备方法
申请号	CN202110272079.3	申请日期	2021-03-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113053749A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/335 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;5查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	郁发新;莫炯炯;吕贝贝;赵文杰
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种GaN器件及制备方法，通过在衬底上采用二次外延可制备形成具有不同材料及非对称结构的第一势垒结构及第二势垒结构，以为源极及漏极提供不同的外延势垒结构，其中，第二势垒结构中的InAlN势垒层可与GaN沟道层的晶格常数相匹配，从而能形成无应力的稳定外延结构，且InAlN势垒层极化能力强，能在GaN沟道内极化出较多的二维电子气，而且通过掺杂InAlN势垒层，能更一进步的降低欧姆接触电阻，从而可为源极输入尽可能多的载流子，以及通过尽可能高的掺杂来降低源极欧姆接触电阻，且在漏极可提供稍少的载流子，以缓解电场强度，避免GaN器件的过早击穿，从而可提高GaN器件的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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