具有场增强排列的存储器装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110030437.6
IPC分类号：G11C11/15;H01L27/24;H01L27/22;H01L45/00
申请日期：
2011-01-19
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有场增强排列的存储器装置及其制造方法
申请号	CN201110030437.6	申请日期	2011-01-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-14	公开/公告号	CN102184744A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;2;2;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	简维志;陈彦儒;陈逸舟
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	宋焰琴

摘要

本发明提供一种存储器装置，其包含：一金属氧化物存储器元件，位于具有一第一电压的一第一电极与具有一第二电压的一第二电极之间的一电流路径中；一非传导元件，邻近于该金属氧化物存储器元件；一传导元件，位于该第一电极与该第二电极之间的该电流路径中，该传导元件具有与该第一电极距离一第一距离的一第一部分以及与该第二电极距离一第二距离的一第二部分，该第一距离大于该第二距离，其中该金属氧化物存储器元件位于该传导元件的该第一部分与该第一电极之间，而该非传导元件位于该传导元件的该第二部分与该第一电极之间。本发明的具有场增强排列的存储器装置，其在形成存储器单元的时候对高电流需求较小。

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