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一种合成高纯砷烷的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010233369.9
  • IPC分类号:C01G28/00
  • 申请日期:
    2010-07-22
  • 申请人:
    武峰
著录项信息
专利名称一种合成高纯砷烷的方法
申请号CN201010233369.9申请日期2010-07-22
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2010-10-13公开/公告号CN101857270A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G28/00IPC分类号C01G28/00查看分类表>
申请人武峰申请人地址
山东省枣庄市市中区车站北街20号院4号楼1单元1*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武峰当前权利人武峰
发明人尹恩华;武峰;巩建民
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明一种合成高纯砷烷的方法,属于电子气体合成纯化技术领域;该方法包括步骤(1)、粗制砷烷的合成过程:先用砷粉和锌粉制成砷化锌,再与稀硫酸反应得到粗制砷烷;和(2)、高纯砷烷的纯化过程:对粗制砷烷采用液氮冷阱低温真空分离、分子筛吸附干燥和镓-铟合金深吸附脱水、氧。本发明所述的方法能深度脱除氧、水和二氧化碳等电子材料中有害杂质,一般可以达到0.01~0.1ppm以下;纯化剂主体镓-铟合金可以反复使用,使用寿命除化学处理稍许损失外,理论上具有很长的使用寿命。

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