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一种增强型半导体器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202023057904.8
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778
  • 申请日期:
    2020-12-17
  • 申请人:
    苏州晶湛半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种增强型半导体器件
申请号CN202023057904.8申请日期2020-12-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人苏州晶湛半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州晶湛半导体有限公司当前权利人苏州晶湛半导体有限公司
发明人程凯
代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司代理人孟潭
摘要
本申请提供一种增强型半导体器件,包括衬底、依次形成在衬底上的p型半导体层以及n型半导体层,所述n型半导体层的栅极区域具有贯穿所述n型半导体层的第一凹槽,暴露出p型半导体层的栅极区域;沟道层,所述沟道层保形地设置在n型半导体层上以及所述第一凹槽内;势垒层,所述势垒层保形地设置在沟道层上。增强型半导体器件的结构简单,重复性好,而且避免给沟道层和势垒层带来的杂质和缺陷。

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