牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810024642.3
IPC分类号：H01S5/022;H01S5/024
申请日期：
2018-01-11
申请人：
长春理工大学

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专利名称	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法
申请号	CN201810024642.3	申请日期	2018-01-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-22	公开/公告号	CN108199256A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/022 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕 H01S5/022 安装座；外壳〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;2;;;H;0;1;S;5;/;0;2;4查看分类表>
申请人	长春理工大学	申请人地址	吉林省长春市朝阳区卫星路7089号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长春理工大学	当前权利人	长春理工大学
发明人	晏长岭;刘云;史建伟;冯源;郝永芹;李辉;王佳彬
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所（普通合伙）	代理人	陶尊新

摘要

牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器制造技术领域。现有倒封装技术不能直接用来解决微盘腔半导体激光器的散热问题。本发明之方法将发光发热区制作成彼此分立的支撑结构和微盘腔；在支撑结构上部的欧姆接触层上制作绝缘层；在微盘腔上部表面制作上电极，同时在绝缘层上表面也形成上电极金属材料层，在衬底的底部表面制作下电极；最后由一个焊接层同时将上电极、电极金属材料层与热沉焊接在一起。本发明之激光器中的彼此分立的支撑结构和微盘腔结构相同，自支撑结构上部的欧姆接触层起依次还有绝缘层、上电极金属材料层，一个焊接层一侧与热沉焊接，所述焊接层的另一侧分别与微盘腔的上电极、电极金属材料层焊接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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