一种Cr2O3半导体复合无机膜的制备方法及应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201911171311.3
IPC分类号：--
申请日期：
2019-11-26
申请人：
西安建筑科技大学

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著录项信息

专利名称	一种Cr2O3半导体复合无机膜的制备方法及应用
申请号	CN201911171311.3	申请日期	2019-11-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-12	公开/公告号	CN111135728A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	西安建筑科技大学	申请人地址	陕西省西安市雁塔路13号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安建筑科技大学	当前权利人	西安建筑科技大学
发明人	张耀君;陈浩;贺攀阳;李婵娟;李欢
代理机构	西安恒泰知识产权代理事务所	代理人	李郑建

摘要

本发明公开了一种Cr2O3半导体复合无机膜的制备方法，该方法利用硅灰‑偏高岭土基无机聚合物膜强碱性的特点，把硅灰‑偏高岭土基无机聚合物膜分离的重金属Cr3+离子直接转化为氢氧化铬沉积于硅灰‑偏高岭土基无机聚合物膜表面，通过焙烧氢氧化铬分解为Cr2O3半导体，制得成本低廉的Cr2O3半导体复合无机膜。将该Cr2O3半导体复合无机膜应用于光催化‑膜分离耦合处理染料废水，不仅实现对重金属废水的有效处理及重金属离子的资源化利用，而且又可以绿色零污染的实现染料废水完全降解。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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