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热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110096944.X
  • IPC分类号:H01L21/68;H01L21/78
  • 申请日期:
    2011-04-15
  • 申请人:
    日东电工株式会社
著录项信息
专利名称热固型芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法
申请号CN201110096944.X申请日期2011-04-15
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2011-10-19公开/公告号CN102222633A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/68IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人日东电工株式会社申请人地址
日本大阪 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日东电工株式会社当前权利人日东电工株式会社
发明人菅生悠树;田中俊平;井上刚一
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人王海川;穆德骏
摘要
本发明提供通过拉伸张力芯片接合薄膜恰当地断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜,用于以下方法:对半导体晶片照射激光形成改性区域后,通过用改性区域将半导体晶片断裂而由半导体晶片得到半导体元件的方法;或者在半导体晶片的表面形成未到达背面的沟后,进行半导体晶片的背面磨削,通过从背面露出沟而由半导体晶片得到半导体元件的方法,所述热固型芯片接合薄膜的特征在于,热固化前25℃下的断裂伸长率大于40%且不超过500%。本发明还提供切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。

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