一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010602379.9
IPC分类号：H01L41/253;H01L41/22
申请日期：
2020-06-29
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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著录项信息

专利名称	一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法
申请号	CN202010602379.9	申请日期	2020-06-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-20	公开/公告号	CN111799364A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/253 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/083 和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。〔6〕 H01L41/22 专门适用于组装、制造或处理压电或电致伸缩器件或其部件的方法或设备〔2，2013.01〕 H01L41/253 对器件或其部件进行处理以改变压电或电致伸缩特性，例如极化特性、振动特性或模式调整〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;2;5;3;;;H;0;1;L;4;1;/;2;2查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	郝传鑫;贾允

摘要

本申请提供一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，包括以下步骤：获取晶圆，所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；对所述晶圆进行还原性离子注入处理，获得注入还原性离子的晶圆；将所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理。该方法基于离子注入进行晶圆黑化，能够在不影响材料压电性能的情况下，获得高质量黑化晶圆。该方法利用离子注入技术，将Fe2+等还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆，Fe2+等的注入会占据晶格中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使晶圆内的载流子浓度提升，进而提高晶圆的电导率，降低电阻率，随后对晶圆进行退火修复，能够有效降低晶体的热释电效应。

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