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压差传感器及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380052765.3
  • IPC分类号:G01L19/06;G01L9/00;B81C1/00;G01L13/02;H01L29/84
  • 申请日期:
    2013-09-24
  • 申请人:
    恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
著录项信息
专利名称压差传感器及其制造方法
申请号CN201380052765.3申请日期2013-09-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-06-10公开/公告号CN104704335A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L19/06IPC分类号G;0;1;L;1;9;/;0;6;;;G;0;1;L;9;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;1;L;1;3;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;8;4查看分类表>
申请人恩德莱斯和豪瑟尔两合公司申请人地址
德国毛尔堡 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人恩德莱斯和豪瑟尔两合公司当前权利人恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
发明人伊戈尔·格特曼;托马斯·林克;彼得·诺门森;拉斐尔·泰伊朋
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人戚传江;谢丽娜
摘要
本发明涉及压差传感器(1),包括测量膜(10),该测量膜(10)布置在两个平台(20)之间,并且经相应的第一绝缘层(26)与平台(20)中的每个压力紧密地连接,以便在平台与测量膜之间形成压力室。绝缘层尤其包括氧化硅。压差传感器进一步包括用于记录测量膜的压力依赖偏转的电换能器。平台(20)具有支撑位置(27),在过载的情况下,测量膜(10)至少部分地接触支撑位置(27)。支撑位置(10)具有位置依赖高度h。压差传感器的特征在于,支撑位置(27)通过各向同性蚀刻形成在第一绝缘层(26)中,并且每个支撑位置的相应高度h是在基准平面中的支撑位置的基部的距离的函数。

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