垂直腔面发射激光器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202111014257.9
IPC分类号：H01S5/183
申请日期：
2021-08-31
申请人：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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著录项信息

专利名称	垂直腔面发射激光器及其制备方法
申请号	CN202111014257.9	申请日期	2021-08-31
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-30	公开/公告号	CN113725728A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	申请人地址	吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	当前权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人	王延靖;佟存柱;田思聪;汪丽杰;陆寰宇;张新;王立军
代理机构	长春中科长光知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	高一明;郭婷

摘要

本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中的垂直腔面发射激光器包括从下至上依次制备的衬底、第一p型接触层、第一垂直腔面发射激光器层、n型接触层、第二垂直腔面发射激光器层和第二p型接触层；其中，第一垂直腔面发射激光器层包括第一有源层，第二垂直腔面发射激光器层包括第二有源层；第二垂直腔面发射激光器层的台面面积小于第一垂直腔面发射激光器层的台面面积；第一垂直腔面发射激光器层的激射波长大于或等于第二垂直腔面发射激光器层的激射波长。相较于现有技术，本发明提供的垂直腔面发射激光器能够在实现光信号高速率输出的同时实现高功率输出。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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