一种用于CMOSPA的自适应偏置电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201810828346.9
IPC分类号：H03F1/32;H03F3/193;H03F3/21
申请日期：
2018-07-25
申请人：
北京新岸线移动通信技术有限公司

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专利名称	一种用于CMOSPA的自适应偏置电路
申请号	CN201810828346.9	申请日期	2018-07-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-04	公开/公告号	CN109150117A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/32 为减少非线性失真对放大器的改进（用负反馈的入H03F 1/34）	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;3;2;;;H;0;3;F;3;/;1;9;3;;;H;0;3;F;3;/;2;1查看分类表>
申请人	北京新岸线移动通信技术有限公司	申请人地址	北京市海淀区中关村东路1号院8号楼D-1702室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京新岸线移动通信技术有限公司	当前权利人	北京新岸线移动通信技术有限公司
发明人	艾君;杨利;郑金汪;白晓鹏;鲍东山
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本申请公开了一种用于CMOSPA的自适应偏置电路，包括堆叠连接的PMOS管和NMOS管、以及滤波电路，其中，PMOS管和NMOS管均为二极管连接形式；射频输入信号经过隔直电容C1后进入功率放大器PA和偏置电路；PMOS和NMOS管连接处的输出电压Vg经过滤波电路后输出进入功率放大器PA。采用本发明提供的自适应偏置电路，可以使CMOSPA在大信号时gatebias电压增加，以便使PA工作于接近classA的状态，从而提供更好的线性度。同时，适当调整该电路也可以使PA在大信号时的gate电压降低，这种效果正好可以用于模拟预失真，通过模拟预失真可进一步实现更好的线性度。

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