片上光源、片上光源的制备方法及光电子器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202110259593.3
IPC分类号：H01L33/20;H01L33/18;H01L33/16;H01L33/44
申请日期：
2021-03-10
申请人：
中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	片上光源、片上光源的制备方法及光电子器件
申请号	CN202110259593.3	申请日期	2021-03-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113097356A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;8;;;H;0;1;L;3;3;/;1;6;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4查看分类表>
申请人	中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院	申请人地址	北京市丰台区东大街53号院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院	当前权利人	中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
发明人	尤洁;罗玉昆;郑鑫;杨杰;欧阳昊
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司	代理人	郑朝然

摘要

本发明提供一种片上光源、片上光源的制备方法及光电子器件，在衬底上形成绝缘层，在绝缘层上形成光学阵列层，在光学阵列层上形成隔离层，在隔离层上形成二维材料层，在二维材料层上形成介质层，在介质层上形成双曲超材料层。其中，当光学阵列层的光子模式的谐振峰与二维材料层的激子峰的波长相等时，会导致二维材料层的发光强度增强。此外，双曲超材料层的表面等离子体激元会与二维材料层产生强耦合作用，进一步增强珀塞尔效应。本发明利用双曲超材料增强二维材料的珀塞尔效应，不仅能够实现片上光源的发光强度的显著提升，还能实现高发光效率和快响应速度并且尺寸小、结构紧凑、易于高密度集成和具备良好的CMOS集成工艺兼容性。

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