一种优化热场的物理气相法碳化硅晶体生长用坩埚

发明专利有效专利

申请号：
CN202211239729.5
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/00
申请日期：
2022-10-11
申请人：
浙江晶越半导体有限公司

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专利名称	一种优化热场的物理气相法碳化硅晶体生长用坩埚
申请号	CN202211239729.5	申请日期	2022-10-11
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-08	公开/公告号	CN115305573A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	浙江晶越半导体有限公司	申请人地址	浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江晶越半导体有限公司	当前权利人	浙江晶越半导体有限公司
发明人	高冰
代理机构	浙江千克知识产权代理有限公司	代理人	葛天祥

摘要

本发明涉及碳化硅晶体生长领域，尤其涉及一种优化热场的物理气相法碳化硅晶体生长用坩埚，其包括坩埚主体以及设置在所述坩埚主体上方的坩埚顶盖；所述坩埚主体用于放置碳化硅粉源的粉源区以及用于碳化硅气体流通的自由气体域，所述粉源区内部设置有多孔结构的导热装置，可有效改善粉源内部的温度分布情况，提高粉源中心的温度，进而提升粉源中心的升华速率与效率。本发明在自由气体域内部设置有阻挡装置，可以有效增加粉源与籽晶之间的温度梯度，且可以改变碳化硅气体的流动分布情况，提高籽晶表面碳化硅气体分布均匀性与晶体生长效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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