COB封装LED光源及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310049761.1
IPC分类号：H01L33/58;H01L33/64
申请日期：
2013-02-07
申请人：
张刚维;张飞林

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	COB封装LED光源及其制作方法
申请号	CN201310049761.1	申请日期	2013-02-07
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-01	公开/公告号	CN103078049A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/58 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/58 光场整形元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	张刚维;张飞林	申请人地址	中国台湾台北县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	张刚维,张飞林	当前权利人	张刚维,张飞林
发明人	张刚维;张飞林
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠

摘要

一种COB封装LED光源，包括衬底、电极、LED芯片和荧光胶；所述电极设置在该衬底上；所述LED芯片设置在衬底正面，所述LED芯片与所述电极电性连接；所述荧光胶覆盖所述LED芯片；其中，所述衬底是透明衬底，该透明衬底的散热性能良好。本发明所提供的COB封装LED光源及其制作方法，通过将衬底由不透明衬底改为高效散热透光衬底，使本发明能够360度发光，提高了产品发光角度和发光范围，提高了光源的光效。并且，由于衬底材料散热性好，散热速度快，避免了荧光胶在高温工作环境中老化失效的情况，提高了荧光胶的寿命，降低了产品的热阻和光衰，能够适应大功率COB封装工艺。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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