等离子体处理装置及其稳定性优化的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911202122.8
IPC分类号：H01J37/32
申请日期：
2019-11-29
申请人：
中微半导体设备（上海）股份有限公司

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著录项信息

专利名称	等离子体处理装置及其稳定性优化的方法
申请号	CN201911202122.8	申请日期	2019-11-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112885691A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	涂乐义;叶如彬
代理机构	上海元好知识产权代理有限公司	代理人	包姝晴;张静洁

摘要

本发明涉及一种等离子体处理装置及其稳定性优化的方法，在等离子体处理装置的安装基板与气体喷淋头之间形成导电接触层，通过所述导电接触层在气体喷淋头到安装基板之间实现直流连接；所述导电接触层可以承受非常高的射频加载，不存在射频加热变性问题；通过控制导电接触层的阻值，使所述气体喷淋头到安装基板之间的阻值在特定温度下极其稳定；本发明有效地提升了等离子体处理装置中射频回路、直流回路的稳定性。

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