半导体装置以及半导体元件保护用材料

发明专利有效专利

申请号：
CN201680033071.9
IPC分类号：H01L23/29;C08G59/18;C08K3/013;C08L63/00;C08L83/05;C08L83/07;H01L23/31
申请日期：
2016-08-16
申请人：
积水化学工业株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置以及半导体元件保护用材料
申请号	CN201680033071.9	申请日期	2016-08-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-23	公开/公告号	CN107735859A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;C;0;8;G;5;9;/;1;8;;;C;0;8;K;3;/;0;1;3;;;C;0;8;L;6;3;/;0;0;;;C;0;8;L;8;3;/;0;5;;;C;0;8;L;8;3;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	积水化学工业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	积水化学工业株式会社	当前权利人	积水化学工业株式会社
发明人	西村贵史;前中宽;中村秀;青山卓司;小林祐辅
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张涛

摘要

本发明提供一种固化物的散热性优异，固化物的空隙少，固化物的绝缘可靠性优异，能够良好地保护半导体元件的半导体装置。本发明所述的半导体装置具备半导体元件和在所述半导体元件的第一表面上配置的固化物，用于得到所述固化物的半导体元件保护用材料包含热固性化合物、固化剂或固化催化剂、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。

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