改善微波/射频功率放大器芯片热失效的设计方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010233532.1
IPC分类号：G06F17/50;H01L27/02
申请日期：
2010-07-22
申请人：
沈阳中科微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	改善微波/射频功率放大器芯片热失效的设计方法
申请号	CN201010233532.1	申请日期	2010-07-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-01	公开/公告号	CN102339336A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	沈阳中科微电子有限公司	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南新区世纪路15号火炬创新创业园主楼13层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沈阳中科微电子有限公司	当前权利人	沈阳中科微电子有限公司
发明人	刘涛
代理机构	沈阳亚泰专利商标代理有限公司	代理人	韩辉

摘要

一种改善微波/射频功率放大器芯片热失效的设计方法，其特点是在多个小面积晶体管进行并联排布时，将晶体管的间距按照从中间到两边依次递减的方式进行非均匀排布，使中心器件和边缘器件的热均匀分布。本发明在设计时将中间器件与邻近器件的间距按照从中间到两边的次序依次减小，将会使中间器件的热耦合减弱、边缘器件的热耦合相对中间器件有所加强，从而有效避免中间器件过热，使各器件的温度趋于相同、器件与器件之间的电流分布趋于相等，避免出现电流增益塌陷，从而大大简化微波/射频功率放大器芯片的热设计，降低热失效发生的几率，并有效缩短研发周期和节约成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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