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多孔立方相氧化钪粉体及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010115675.2
  • IPC分类号:C01F17/00
  • 申请日期:
    2010-01-29
  • 申请人:
    中国科学院福建物质结构研究所
著录项信息
专利名称多孔立方相氧化钪粉体及其制备方法
申请号CN201010115675.2申请日期2010-01-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-05-25公开/公告号CN102070177A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01F17/00IPC分类号C;0;1;F;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院福建物质结构研究所申请人地址
福建省福州市杨桥西路155号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院福建物质结构研究所当前权利人中国科学院福建物质结构研究所
发明人杨明;周有福;陈白泉;江飞龙;洪茂椿
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提供了一种多孔立方相氧化钪粉体及其制备方法。本发明利用均匀沉淀法,在醋酸钠和聚乙二醇1000存在下,以六亚甲基四胺作为沉淀剂加入到硝酸钪溶液中获得羟基氧化钪沉淀,收集沉淀并在高温下煅烧,制备得到了大小均匀、分散性好的多孔核桃状立方相氧化钪粉体。多孔立方相氧化钪粉体具有多孔性,粒径分布窄的特点,在气体传感、催化应用上有更好的性能,具有重要应用前景。

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