高线性度可编程跨导放大器电路

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220365406.6
IPC分类号：H03F3/45
申请日期：
2012-07-26
申请人：
中国电子科技集团公司第五十八研究所

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专利名称	高线性度可编程跨导放大器电路
申请号	CN201220365406.6	申请日期	2012-07-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F3/45 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F3/20 至H03F 3/72各组优先于H03F 3/02至H03F 3/189各组。〔2〕 H03F3/45 差动放大器〔2〕	IPC分类号	H;0;3;F;3;/;4;5查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十八研究所	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区惠河路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十八研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人	陈珍海;季惠才;吴俊;封晴;于宗光
代理机构	无锡市大为专利商标事务所	代理人	曹祖良

摘要

本实用新型涉及一种高线性度可编程跨导放大器电路，其包括PMOS电流镜电路及差分输入对；所述差分输入对包括第一MOS管及第二MOS管；所述第一MOS管的源极端通过第一源极电阻与第五MOS管的漏极端相连，且第二MOS管的源极端通过第二源极电阻与第五MOS管的漏极端相连；第五MOS管的栅极端与第六MOS管的栅极端、第六MOS管的源极端相连，第六MOS管的漏极端接地，第五MOS管的源极端与第八MOS管的源极端相连，第八MOS管的栅极端与第七MOS管的栅极端、第七MOS管的源极端相连，第七MOS管、第八MOS管的漏极端均接地；第五MOS管、第八MOS管的源极端对应连接后与电流输入DAC电路相连。本实用新型结构紧凑，可用于各类模数混合信号中信号检测。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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