一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710595032.4
IPC分类号：C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58
申请日期：
2017-07-20
申请人：
西南交通大学

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专利名称	一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法
申请号	CN201710595032.4	申请日期	2017-07-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-23	公开/公告号	CN107620034A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	西南交通大学	申请人地址	四川省成都市二环路北一段111号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西南交通大学	当前权利人	西南交通大学
发明人	羊新胜;刘悦;赵可;雷鸣;赵勇
代理机构	成都博通专利事务所	代理人	陈树明

摘要

一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法，包括以下步骤:a、溅射沉积：选取石英(SiO2)基片或蓝宝石(Al2O3)基片作为磁控溅射的衬底，选取纯度为99.999％的Bi2Se3材料作为磁控溅射的靶材，在基片上溅射沉积一层Bi2Se3薄膜；b、后退火处理：将a步沉积有Bi2Se3薄膜的基片和粒径为0.6mm‑1.2mm的硒粒球一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，然后将真空石英管置于管式炉中，在氩气保护气氛下进行后退火处理，即得透明Bi2Se3薄膜。该方法可制备大面积的透光性能良好的Bi2Se3薄膜，制备过程简单，能耗小，成本低，效率高，可重复性好，适合于工业化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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