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一种用于形成集成电路器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910164541.0
IPC分类号：B81C1/00;B81B7/02
申请日期：
2013-12-09
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于形成集成电路器件的方法
申请号	CN201910164541.0	申请日期	2013-12-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-09	公开/公告号	CN109987576A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	郑钧文;朱家骅
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。

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