光半导体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200910128112.4
IPC分类号：H01L31/075;H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/0232
申请日期：
2009-02-27
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光半导体装置
申请号	CN200910128112.4	申请日期	2009-02-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-09	公开/公告号	CN101599511
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/075 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/075 只是PIN型势垒的，例如非晶硅PIN太阳能电池〔5，2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;7;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;5;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;2查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	中路雅晴;石村荣太郎;柳生荣治
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	何欣亭;王丹昕

摘要

本发明得到元件特性偏差少、量子效率高的光半导体装置。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上依次形成n型DBR层(12)(第一导电型的分布布拉格反射层)、n型InP应变缓冲层(14)(第一导电型的应变缓冲层)、低载流子浓度的i-InGaAs光吸收层(16)(光吸收层)以及p型InP窗层(18)(第二导电型的半导体层)。n型InP应变缓冲层(14)由与n型InP衬底(10)相同的材料构成。形成于n型DBR层(12)与i-InGaAs光吸收层(16)之间的层的总光学长度为入射光的波长λ的半波整数倍。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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