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半导体器件结构的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910039901.4
  • IPC分类号:H01L21/8234;H01L21/8239
  • 申请日期:
    2019-01-16
  • 申请人:
    芯恩(青岛)集成电路有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件结构的制作方法
申请号CN201910039901.4申请日期2019-01-16
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-07-24公开/公告号CN111446210A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8234
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;9查看分类表>
申请人芯恩(青岛)集成电路有限公司申请人地址
山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人芯恩(青岛)集成电路有限公司当前权利人芯恩(青岛)集成电路有限公司
发明人肖德元
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人余明伟
摘要
本发明提供一种半导体器件结构的制作方法,包括如下步骤:提供衬底;形成隔离层;形成由下至上依次交替叠置的锗化硅牺牲层及外延沟道材料层;形成第一鳍形结构及第二鳍形结构;获得悬空的第一半导体沟道及第二半导体沟道;形成第一N型半导体沟道及第二N型半导体沟道;形成第一栅介质层及第二栅介质层;形成第一栅电极层及第二栅电极层;于第一N型半导体沟道的两端分别形成第一N型源极及第一N型漏极;于第二N型半导体沟道的两端分别形成第二N型源极及第二N型漏极。本发明可以使得所述第二N型半导体沟道的宽度与所述第一N型半导体沟道的沟道宽度连续可调,可以大大提高半导体存储器件设计的灵活性,提高器件集成度以及器件性能。

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