一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110043756.4
IPC分类号：C30B33/04;C30B29/36
申请日期：
2021-01-13
申请人：
山西烁科晶体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法
申请号	CN202110043756.4	申请日期	2021-01-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-07	公开/公告号	CN112760719A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/04 用电场或磁场或粒子辐射〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;0;4;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	山西烁科晶体有限公司	申请人地址	山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山西烁科晶体有限公司	当前权利人	山西烁科晶体有限公司
发明人	毛开礼;魏汝省;赵丽霞;戴鑫;李天;乔亮;范云;李斌;靳霄曦
代理机构	太原高欣科创专利代理事务所（普通合伙）	代理人	崔雪花;冷锦超

摘要

本发明提出一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，属于单晶硅生产加工技术领域；具体是采用高能粒子辐照碳化硅晶片，在碳化硅晶片引入点缺陷，以补偿碳化硅晶片浅能级缺陷；所述碳化硅晶片中的Al杂质浓度＜1E15cm‑3，B、N两种浅杂质浓度分别＜5E16cm‑3，采用高能粒子辐照剂量为0.3‑25MeV；辐照时间为0.1‑6h；本发明克服了在不使用深能级金属掺杂剂情况下实现半绝缘SiC晶圆片内和片间电阻率分布均匀的实际困难，不仅可以有效提升射频器件性能，同时可以提升产品一致性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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