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在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710040758.8
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2007-05-17
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法
申请号CN200710040758.8申请日期2007-05-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-10-24公开/公告号CN101060075
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H01L21/02查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市闵行区东川路8*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人郭益平;顾明元
代理机构上海交达专利事务所代理人毛翠莹
摘要
本发明涉及一种在Si基板上制备高度(110)取向铁电薄膜的方法,包括:粘结层材料的选择,(110)取向Pt的制备以及高度(110)取向钙钛矿型铁电薄膜的制备。使用氧化物电极作为SiO2/Si基板的缓冲层,并在氧化物缓冲层上通过物理溅射法制备(110)取向的Pt底部电极,最后在该Pt底部电极上制备高度(110)取向的钙钛矿型铁电薄膜。本发明方法简单,能够制备出一致性、重复性好的高度(110)取向的铁电薄膜。该薄膜具有优越的介电性能,可以满足微电子及MEMS等高技术应用对铁电薄膜材料性能的要求,对铁电薄膜材料的制备技术具有重大的影响。

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