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一种核壳型氧化锌@氧化锌@三氧化钼纳米阵列复合薄膜的制备方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911424553.9
  • IPC分类号:C03C17/34;H01G11/46;H01G11/86
  • 申请日期:
    2019-12-31
  • 申请人:
    哈尔滨商业大学
著录项信息
专利名称一种核壳型氧化锌@氧化锌@三氧化钼纳米阵列复合薄膜的制备方法及其应用
申请号CN201911424553.9申请日期2019-12-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-04-21公开/公告号CN111039574A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C17/34IPC分类号C;0;3;C;1;7;/;3;4;;;H;0;1;G;1;1;/;4;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人哈尔滨商业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市松北区学海街1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨商业大学当前权利人哈尔滨商业大学
发明人王晶
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人岳泉清
摘要
一种核壳型氧化锌@氧化锌@三氧化钼纳米阵列复合薄膜的制备方法及其应用,本发明涉及一种核壳型氧化锌@氧化锌@三氧化钼纳米阵列复合薄膜的制备方法及其应用。本发明是为了解决现有MoO3、ZnO作为电极材料存在导电性低、材料纳米化会增大表面能,导致纳米材料极易无序堆积、团聚,同时还易与电解液发生副反应引起结构劣化,使电化学稳定性变差的问题。本发明以硝酸锌、氢氧化钠、氨水、钼靶材为原材料制备得到ZnO@ZnO核壳结构纳米阵列和纳米片/透明导电基低复合薄膜,再以钼靶才为原料,得到ZnO@ZnO@MoO3核壳纳米线和纳米片阵列/透明导电基低复合薄膜。

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