聚偏氟乙烯薄膜的极化方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310407026.3
IPC分类号：H01L41/45
申请日期：
2013-09-10
申请人：
龚伶

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著录项信息

专利名称	聚偏氟乙烯薄膜的极化方法
申请号	CN201310407026.3	申请日期	2013-09-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104425705A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/45 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/083 和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。〔6〕 H01L41/22 专门适用于组装、制造或处理压电或电致伸缩器件或其部件的方法或设备〔2，2013.01〕 H01L41/35 形成压电或电致伸缩材料〔2013.01〕 H01L41/45 有机材料〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;4;5查看分类表>
申请人	龚伶	申请人地址	四川省成都市武侯区一环路南一段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	龚伶	当前权利人	龚伶
发明人	龚伶
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了聚偏氟乙烯薄膜的极化方法，包括以下步骤：步骤一、将聚偏氟乙烯薄膜的上下平面均蒸镀厚度为90～100nm的银作为金属电极；步骤二、向加热器内倒入硅油，并将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜放入加热器的硅油中；步骤三、将加热器内硅油温度调节至80～90℃，并向镀有金属电极的聚偏氟乙烯施加电压，其中，施加的电压在镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜上为130～140MV/m，持续时间为50～60min；步骤四、取出加热器内的聚偏氟乙烯薄膜在常温下冷却得到极化后的聚偏氟乙烯薄膜。采用本发明极化后的聚偏氟乙烯薄膜，压电性、铁电性及热释电特性好，膜击穿率低，进而能聚偏氟乙烯薄膜的制造成本，便于推广应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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