抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711219623.8
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/02;C23C14/18;B82Y30/00
申请日期：
2017-11-28
申请人：
中国科学院金属研究所

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专利名称	抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法
申请号	CN201711219623.8	申请日期	2017-11-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108866496A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;1;8;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	邰凯平;刘畅;崔刊;靳群;蒋松;姜辛
代理机构	沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张志伟

摘要

本发明属于复合材料和抗辐照损伤结构材料领域，具体为一种抗辐照损伤金属纳米晶/碳纳米管复合材料及其制备方法。复合材料由自支撑CNT基体以及均匀附着在其表面生长的金属纳米晶构成，相邻纳米晶粒成取向差为1～10°的小角度倾转晶界，晶粒尺寸≤250nm，孔隙率≥50％。制备方法包括：提供承载和加热功能的样品支架，在加热条件下对其承载的CNT基底进行等离子体清洗处理；将预处理的CNT基底在0.2至2Pa气压(Ar气体)，20至800℃的温度下，利用磁控溅射沉积技术制备金属纳米晶/CNT复合材料。该复合材料的厚度、成分、孔隙率等均可调控，具有高密度纳米尺度孔隙，较高的电导率和弯曲柔韧性能，在高能粒子辐照下，表现出良好的抗损伤性能和结构稳定性。

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