具有多方位的绝缘层上覆硅芯片及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410004260.2
IPC分类号：--
申请日期：
2004-02-16
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有多方位的绝缘层上覆硅芯片及其制作方法
申请号	CN200410004260.2	申请日期	2004-02-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-10-13	公开/公告号	CN1536676
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	杨育佳;杨富量
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	王一斌

摘要

本发明揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的孤立硅层，并且将P型晶体管设置于表面方位为(110)的孤立硅层上方，将N型晶体管设置于表面方位为(100)的孤立硅层上方。如此一来，P型晶体管会具有良好的电洞迁移率，N型晶体管会具有良好的电子迁移率。本发明更揭示该具有多方位的绝缘层上覆硅芯片的制造方法。

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